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放射光X線回折によるAu触媒GaAsナノワイヤの結晶構造変化のその場観察

In situ synchrotron X-ray diffraction analysis of structure transformation of Au-assisted GaAs nanowires

神津 美和; Hu, W.; 仲田 侑加*; 高橋 正光

Kozu, Miwa; Hu, W.; Nakata, Yuka*; Takahashi, Masamitsu

金属液滴を触媒として用いる気相-固相-液相成長機構を利用して作製したGaAs量子細線は、GaAs基板の構造である閃亜鉛鉱型構造(ZB)だけでなく量子細線特有の構造としてウルツ鉱型構造(WZ)をとることが報告されている。しかし構造変化の要因はさまざまな要因が指摘されており、充分に明らかにされていない。本研究では構造変化の要因のひとつとして指摘されている共晶の過飽和度と量子細線成長過程での結晶構造変化を明らかにすることを目的とする。過飽和度は共晶が置かれている環境が高温であれば共晶が含むことができるGaの最大量が増加、つまり過飽和度が小さくなる。このことから成長温度を変化させることが過飽和度を変化させることに繋がると考え、成長温度をそれぞれ変化させたGaAs量子細線を放射光X線回折によってその場測定を行った。成長初期はZBのみが確認され成長が進むにつれWZが出現することを確認した。さらにWZは成長温度が低いほど出現が早いことが確認された。

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