ionsイオン衝撃されたSi結晶中の損傷蓄積に対するクラスター効果鳴海 一雅; 楢本 洋*; 山田 圭介; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 前田 佳均
Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi*; Yamada, Keisuke; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Maeda, Yoshihito
本研究では、10-100keV領域のCイオン衝撃の非線形効果を明らかにすることを目的としている。室温でSi結晶に10-540keV Cイオンを照射し、1個のCイオン衝撃により格子位置から変位したSi原子数
をラザフォード後方散乱/チャネリング法で評価したところ、照射損傷の照射量依存性がイオントラック的描像で説明できることがわかった。さらに、入射C原子1個あたりの変位したSi原子数の比/(60
)を使って非線形効果を評価した。ここで、は、同じ速度のCイオン衝撃により格子位置から変位したSi原子数であり、SRIM2008を使って求めた。比はCイオンのエネルギーに依存し、100keV近辺で最大になった。この比のエネルギー依存性、すなわち非線形効果のエネルギー依存性は、核的阻止能とSi中でのC原子間距離の広がりによって定性的に説明できる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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号 |
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ページ数 |
: | P. 166 |
発行年月 |
: | 2013/01 |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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