/Geスタックの熱処理による構造変化/Ge stacks fabricated by MBD method秀島 伊織*; 田中 亮平*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆 
; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*
Hideshima, Iori*; Tanaka, Ryohei*; Minoura, Yuya*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Hosoi, Takuji*; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*
本研究ではAl/HfO/GeO/Ge構造を作製し、熱処理による構造変化を放射光光電子分光法によりその場分析した。熱処理前にGe3sスペクトルおいて基板のGeよりも低結合エネルギーにAl-Ge結合に帰属すると考えられる成分を見いだした。Ge3sスペクトルのGe酸化物成分及びAl-Ge成分の熱処理温度依存性の結果から、300
C以上の熱処理でAl電極中へGeO分子が拡散し、Al-Ge結合が増大すると解釈した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2013/03 |
開催都市 |
: | 厚木 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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