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イオンビームを利用した高配向$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜製作における照射の影響

Irradiation effects on the fabrication of highly-oriented $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin film using an ion beam

濱本 悟*; 山口 憲司; 北條 喜一

Hamamoto, Satoshi*; Yamaguchi, Kenji; Hojo, Kiichi

イオンビームを利用した高配向$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜製作時に問題となる基盤温度(700$$^{circ}$$Cと650$$^{circ}$$C)とスパッタ処理(ES)時の照射条件(加速電圧: 3keV、照射量: 3.7$$times$$10$$^{15}$$から3.7$$times$$10$$^{16}$$Ne/cm$$^{2}$$)の影響についてRHEEDとAFMで表面形態を、XRDで薄膜形態を調べた。その結果、スッパッタ処理(基板処理)と焼鈍を併用した基板洗浄実験においては、すべての条件でシリコン基板表面のSi(100)-2$$times$$1構造が観察された。さらに、成膜においては、基板温度700$$^{circ}$$Cの場合、3keV, 3.7$$times$$10$$^{16}$$Ne/cm$$^{2}$$でほぼ$$beta$$-FeSi$$_{2}$$の単相膜になることがわかった。また、基板温度650$$^{circ}$$Cでは、照射量の増加とともに結晶性が悪くなることを明らかにした。これらの結果から、基板温度が700$$^{circ}$$Cで高いES条件の場合、FeとSiの相互拡散が非常に大きく、高温安定相である$$alpha$$相や基板に配向関係がない$$beta$$の成長が抑制されたものと考えられる。その抑制機構に関しては現在検討中である。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

2013年(平成25年)第60回応用物理学会春季学術講演会

開催年月

 :

2013/03

開催都市

 :

厚木

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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