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GaAsナノワイヤ成長中断時の結晶構造変化

Crystal structure change at the time of GaAs nanowire growth interruption

神津 美和; 高橋 正光; Hu, W.; 仲田 侑加*

Kozu, Miwa; Takahashi, Masamitsu; Hu, W.; Nakata, Yuka*

金属液滴を触媒として用いるVapor-Liquid-Solid(VLS)成長機構を利用して作製したIII-V族半導体ナノワイヤは成長条件によって基板の結晶構造である閃亜鉛鉱型構造(ZB)のほかウルツ鉱型構造(WZ)や4H, 6Hといった構造多形をとることが報告されている。しかし構造変化の要因は充分に明らかにされていない。今回、われわれはナノワイヤ成長中断時にWZからZBへ構造が変化することを発見したので報告する。ZB, WZそれぞれのピークはGa供給開始とともに強度は増加し、Ga供給を中断させるとWZの強度は減少しZBの強度はさらに増加することが見いだされた。また、それぞれの回折強度の変化の成長速度依存性を調べたところ、ZB、WZともに構造の変化に成長速度依存性が確認された。構造変化が最も顕著成長速度においてナノワイヤを成長させると、構造多形が多く含まれた結晶性の悪いナノワイヤが成長したことが確認された。

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