Au触媒GaAsナノワイヤにおける構造多形の成長速度依存性

Growth-rate dependence of polytypes in Au-assisted GaAs nanowires

高橋 正光; 神津 美和; Hu, W.; 仲田 侑加*

Takahashi, Masamitsu; Kozu, Miwa; Hu, W.; Nakata, Yuka*

ガリウムヒ素は、バルク結晶では閃亜鉛鉱構造が最安定であるのに対し、量子細線の状態では、ウルツ鉱構造をはじめ、4H, 6Hなどからなる構造多形を示すことが知られている。核形成の理論によれば、結晶成長時の過飽和度が大きいほど、表面エネルギーによる利得が大きくなり、六方晶性の強い構造が生成しやすくなることが示される。本研究では、成長速度を通じて実質的に過飽和度を変化させ、量子細線の構造多形の割合をX線回折法により評価する実験をおこなった。X線回折は、多数の量子細線を一度に測定できるため、構造多形の分布について、精度の高い解析が可能になった。過飽和度の増加にともなう構造多形の形成確率の変化は、Ga供給速度を増加させたときの傾向と一致し、Ga供給速度を変えることにより、構造多形の制御が可能であることが示された。

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