Ge(100)-21表面酸化の進行と酸化状態の関係

Time evolution of Ge oxidation sites in Ge(100)-21 oxidation at 300 K

吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 岡田 隆太; 神農 宗徹*; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Okada, Ryuta; Jinno, Muneaki*; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Geは移動度等でSiに比べて優れる電子材料であり、その表面酸化膜形成機構の解明が重要となっている。放射光XPSによってGe(100)-21の室温酸化において、飽和に至るまでの酸化物を調べた。実験は、SPring-8のBL23SUのSUREAC2000で行った。バックフィリング及び超音速酸素分子線による酸化のどちらの場合も、酸化初期から飽和酸化まで変化がないことが明らかとなった。

Study on oxidation mechanism of germanium surfaces is important because germanium has an advanced property for electron/hole mobility compared to silicon. We investigated oxide-structure during oxidation of Ge(100)-21 surface at room temperature. All experiments were performed using SUREAC2000 at SPring-8. We have confirmed no change of oxide structures from initial oxidation to saturation for back-filling oxidation and supersonic oxygen beams, respectively.