• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

極薄AlO$$_{x}$$層によるHigh-$$k$$/Ge界面反応抑制とEOT=0.56nmの実現

High-$$k$$/Ge gate stack with an EOT of 0.56 nm by controlling high-$$k$$/Ge interface reaction using ultrathin AlO$$_{x}$$ interlayer

田中 亮平*; 秀島 伊織*; 箕浦 佑也*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 細井 卓治*; 志村 考功*; 渡部 平司*

Tanaka, Ryohei*; Hideshima, Iori*; Minoura, Yuya*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Hosoi, Takuji*; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

本研究ではGe系電子デバイスの電界効果トランジスタにおけるHigh-$$k$$/Ge界面反応の抑制を目的として、極薄Al$$_{2}$$O$$_{3}$$膜を挿入したHfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Geスタックを作製し、放射光光電子分光法による構造評価並びに電気特性評価を行った。比較として、1nmの金属Hf膜をGe基板上に直接堆積後、300$$^{circ}$$Cでプラズマ酸化を施したPt/HfO$$_{2}$$/GeO$$_{x}$$/Geスタックも作製した。AlO$$_{x}$$界面層を挿入することで、界面GeO$$_{x}$$層の薄層化に加え、Hf-Ge結合の形成が顕著に抑制された。また、Pt/HfO$$_{2}$$/Al$$_{2}$$O$$_{3}$$/GeO$$_{x}$$/Ge構造では、周波数依存性のほとんどない良好なC-V曲線が得られ、0.56nmの極薄EOTを実現した。極薄AlO$$_{x}$$界面層はHf-Ge結合の形成を効果的に抑制し、High-$$k$$/Geスタックの電気特性向上に有用であると結論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2013年秋季第74回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2013/09

開催都市

 :

京田辺

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

大阪大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る