酸素分子のGe(100)-21表面における室温での初期吸着確率の並進エネルギー依存性

Translational energy dependence of initial sticking probability of O on Ge(100)-21 surface at room temperature

吉越 章隆 ; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Yoshigoe, Akitaka; Okada, Ryuta; Teraoka, Yuden; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Geは、高キャリア移動度を有することから次世代Siデバイスの代替チャネル材料として注目されている。Ge酸化物及びその形成過程の解明が重要となっている。本会議では、Ge(100)-21表面の室温酸化における酸素分子の並進エネルギーによる吸着プロセスの違いを初期吸着確率の測定から明らかにしたので報告する。実験は、SPring-8のBL23SUのSUREAC2000にて行った。0.1eV付近において吸着メカニズムが変わることがわかった。さらに、2.2eVまでの並進エネルギー実験で、少なくとも吸着バリアーが二つ存在することがわかった。

There is considerable interest in germanium as a channel material for developing Si devices because of its high carrier mobility. Thus, Ge oxides and its growth mechanism are attracting widespread interest. In this conference, we report on the dependence of adsorption processes in room-temperature oxidation at a Ge(100)-21 surface on translational energy of O clarified by the measurement of initial sticking probability. All experiments were performed using SUREAC2000 at BL23SU of SPring-8. It was found that adsorption mechanism changes around 0.1 eV. Furthermore, we found out two energy barriers for the adsorption of O with translational energy of 2.2 eV.