放射光XPSを用いたGe(100)-21表面の室温酸化物の時分割観察

Time-resolved observation of oxides on Ge(100)-21 surface at room temperature using synchrotron radiation XPS

吉越 章隆 ; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Yoshigoe, Akitaka; Okada, Ryuta; Teraoka, Yuden; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Geは次世代電子デバイス材料として注目されており、その単結晶表面酸化の研究は重要となっている。本発表では、室温でGe(100)-21表面にバックフィリングあるいは超音速酸素分子線(並進エネルギー: 2.2eV)によって生成する酸化物の放射光XPSによる時分割観察結果を報告する。どちらも、Ge酸化成分(Ge/Ge)の強度比は一定であった。

Ge is much attracting as a new material in future electronic devices and therfore oxidation of Ge crystal surfaces is now important. In this conference, we report that evolution of oxides on Ge(100)-21 surface up to saturated oxidation for thermal-O and supersonic O (2.2 eV) beams was studied by time-resolved observation using synchrotron radiation XPS. We found that Ge/Ge is almost constant from early stages of oxidation to saturation.