Ge(100)-21表面への室温酸素初期吸着確率の並進エネルギー依存性

Incident energy dependence of initial sticking probability of O at Ge(100)-21 surface at room temperature

吉越 章隆 ; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Yoshigoe, Akitaka; Okada, Ryuta; Teraoka, Yuden; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Geは次世代電子デバイス材料として注目され、その酸化研究は重要となっている。本発表では、酸素分子のGe(100)-21表面への室温初期吸着確率の並進エネルギー依存性を報告する。0.1eVと0.47eV付近に酸素分子の吸着バリアーの存在を示唆する結果を得た。

Ge and its oxidation are attracting widespread interest in the field of development of future electronic devices. In this conference, we report incident energy dependence of initial sticking probability for a Ge(100)-21 surface at room temperature. We obtained results which suggest two energy barriers for O adsorption at around 0.1eV and 0.47 eV.