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メタモルフィックInGaAs/GaAs成長中の急激歪緩和観測

Observation of rapid strain relaxation during metamorphic InGaAs/GaAs growth

佐々木 拓生; 高橋 正光; 鈴木 秀俊*; 大下 祥雄*; 山口 真史*

Sasaki, Takuo; Takahashi, Masamitsu; Suzuki, Hidetoshi*; Oshita, Yoshio*; Yamaguchi, Masafumi*

GaAs基板上のメタモルフィック(metamorphic) InxGa1-xAsは集光型太陽電池や高電子移動度トランジスタに代表されるように、In組成を変化させることでデバイスの幅広いパラメータ設計が可能となる。高性能なメタモルフィックInGaAsデバイスを実現するためには、それらの下地(緩衝層)作りが重要となるが、これまで緩衝層内での貫通転位の閉じ込めや完全歪緩和に向けた結晶の無歪化技術の開発が試みられてきた。我々はこれまでメタモルフィック結晶成長の本質ともいえる転位発生やすべり運動によって引き起こされる歪緩和過程の理解を試みてきた。そして、その場X線逆格子マッピング法を用いて、InGaAs単層から傾斜組成層まで多角的に歪緩和の素過程を検討してきた。本講演ではInGaAs二層成長時に起きる特徴的な急激歪緩和現象をもとに、多層成長中の歪緩和過程について検討した結果を報告する。

no abstracts in English

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