Single event gate rupture in SiC MOS capacitors with different gate oxide thicknesses

SiC MOSキャパシタにおけるシングルイベントゲート破壊の酸化膜厚依存性

Deki, Manato*; Makino, Takahiro; Kojima, Kazutoshi*; Tomita, Takuro*; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(4H-SiC)半導体を用いて作製した金属-酸化膜-半導体(Metal Oxide Semiconductor: MOS)キャパシタにおける高エネルギー重イオンに対する信頼性について検討した。実験は、蓄積方向に直流電界を印加した4H-SiC MOSキャパシタへ重イオンを照射し、酸化膜の絶縁破壊電界(Ecr)を測定した。重イオンのLET(Linear Energy Transfer: LET)を変えた照射を行うことでEcrのLET依存性の実測に成功し、Ecrは照射重イオンのLETに反比例する結果が得られた。この実験結果と、既に報告されているシリコン(Si)MOSキャパシタにおけるEcrのLET依存性とを比較した結果、Siと比較してSiC MOSキャパシタの方がEcrが大きく絶縁破壊耐性が高いことが明かになった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Materials Science Forum
巻	:	778-780
号	:
ページ数	:	p.440 - 443
発行年月	:	2014/02
発表会議名	:	International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM 2013)
開催年月	:	2013/09
開催都市	:	Miyazaki
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.440
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	徳島大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：82.26 分野：Crystallography
Altmetrics	:

登録番号 : BB20131739
抄録集掲載番号 : 42000493
論文投稿番号 : 14078

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