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Single event gate rupture in SiC MOS capacitors with different gate oxide thicknesses

SiC MOSキャパシタにおけるシングルイベントゲート破壊の酸化膜厚依存性

出来 真斗*; 牧野 高紘; 児島 一聡*; 富田 卓朗*; 大島 武

Deki, Manato*; Makino, Takahiro; Kojima, Kazutoshi*; Tomita, Takuro*; Oshima, Takeshi

炭化ケイ素(4H-SiC)半導体を用いて作製した金属-酸化膜-半導体(Metal Oxide Semiconductor: MOS)キャパシタにおける高エネルギー重イオンに対する信頼性について検討した。実験は、蓄積方向に直流電界を印加した4H-SiC MOSキャパシタへ重イオンを照射し、酸化膜の絶縁破壊電界(Ecr)を測定した。重イオンのLET(Linear Energy Transfer: LET)を変えた照射を行うことでEcrのLET依存性の実測に成功し、Ecrは照射重イオンのLETに反比例する結果が得られた。この実験結果と、既に報告されているシリコン(Si)MOSキャパシタにおけるEcrのLET依存性とを比較した結果、Siと比較してSiC MOSキャパシタの方がEcrが大きく絶縁破壊耐性が高いことが明かになった。

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