宇宙用超高効率薄膜3接合太陽電池の開発

Development of super high efficiency thin-film triple junction solar cells for space use

Sumita, Taishi*; Nakamura, Tetsuya*; Imaizumi, Mitsuru*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

宇宙航空研究開発機構では、多接合構造による高い変換効率と薄膜化による軽量性及び耐放射線性を兼ね備えたInGaP/GaAs/InGaAs薄膜3接合太陽電池の開発研究を進めており、その耐放射線性評価実験を高崎量子応用研究所TIARAのイオン加速器を用いて実施した。3MeV陽子線照射後の発電特性劣化を、現在人工衛星用の主流として使用されているInGaP/GaAs/Ge型3接合太陽電池と比較したところ、ほぼ同等の放射線耐性を示すことがわかった。InGaP/GaAs/InGaAs薄膜3接合太陽電池は従来のInGaP/GaAs/Ge型3接合太陽電池より初期の変換効率が約2%高いことを含めて考えると、InGaP/GaAs/InGaAs薄膜3接合太陽電池は新たな宇宙用太陽電池として利用可能であると結論できる。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	第8回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2013/10
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	宇宙航空研究開発機構

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登録番号 : BB20131977
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