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Krの高強度紫外レーザー場イオン化におけるスピン軌道2準位への分岐

Branching into two spin-orbit levels in ionization of Kr in intense UV laser fields

中野 元善; 乙部 智仁; 板倉 隆二

Nakano, Motoyoshi; Otobe, Tomohito; Itakura, Ryuji

高強度紫外フェムト秒レーザー(398nm, 50fs)を用いてKrの光電子イメージング分光を行った。レーザー強度を7-33$$times$$$$10^{12}$$W/cm$$^{2}$$の範囲内において変化させ、5光子イオン化過程における1価の電子基底状態のスピン軌道分裂2準位($$^2P_{3/2}$$状態と$$^2P_{1/2}$$状態)の分岐比及び光電子角度分布に着目し、それらのレーザー強度依存性を明らかにした。20$$times$$$$10^{12}$$W/cm$$^{2}$$以下の強度領域では分岐比が一定であるが、それ以上の強度領域では$$^2P_{3/2}$$状態の分岐比がレーザー強度の増加とともに増加した。また、2つの準位の光電子角度分布はそれぞれ異なる強度依存性を示した。相対論を考慮した時間依存密度汎関数法を用いた計算を行い、実験結果と比較して議論する。

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