単結晶中性子回折と電気抵抗の同時測定を目指した高圧技術の開発

Development of technique for simultaneous measurement of single-crystal neutron diffraction and electrical resistivity under high pressure

長壁 豊隆  ; 加藤 義博*; 桑原 慶太郎*

Osakabe, Toyotaka; Kato, Yoshihiro*; Kuwahara, Keitaro*

強相関電子系物質の秩序相臨界領域では、秩序変数のゆらぎが顕著になり、わずかな外場の変化で相転移のような非常に大きい応答が得られる。この相臨界領域は新しい物性の宝庫であり、この領域を人工的に作り出して有用な機能物性を発現させる研究は、新しい物質開拓の手法でもある。この領域を生成する手段として高圧力の印可は極めて有効である。一方、中性子回折は結晶構造や磁気状態を直接調べることができるため、この圧力誘起相臨界領域の機能物性を調べる上で強力な実験手段となる。さらに、同時に電気抵抗測定を組み合わせることで、相臨界領域の構造-磁性-伝導を同一試料環境下で一度に調べることができ、また、測定を個別に行って結果を比較する際に常に付きまとう曖昧さを完全に排除できる。我々はこのような視点に立ち、単結晶中性子回折用のアンビル式高圧力セルを用いて電気抵抗測定を可能にする技術の開発を行っている。この場合、加圧下で試料からのリード線の断線や短絡を防ぐためのガスケッ ト技術が極めて重要になる。本発表では主に、このガスケット技術とそれを用いた加圧試験の結果などを紹介する。

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