Si(111)-(41)-In表面上に成長したInAsエピタキシャル膜の界面構造

Interfacial structure of InAs epitaxial film grown on Si(111)-(41)-In surface

仲田 侑加; 佐々木 拓生; 出来 亮太*; 高橋 正光

Nakata, Yuka; Sasaki, Takuo; Deki, Ryota*; Takahashi, Masamitsu

光電子集積回路への応用を目的として、Si上のIII-V族半導体のエピタキシャル膜に期待が寄せられている。Si上のIII-V族半導体成長では、3次元的島成長、格子不整合、逆位相境界などが原因となり、平坦な単結晶膜を得ることが困難とされてきたが、近年、Si(111)-(41)-In表面上に成長させたInAs膜は、10%以上の格子不整合度があるにもかかわらず、平坦性・結晶性ともに良好であるという報告がなされた。本研究では、Si(111)基板とInAs膜の界面構造をSPring-8・BL11XUに設置されている分子線エピタキシー(MBE)装置とX線回折計が一体化した装置を用いて調べ、大きな格子不整合度を持つ系で平坦な界面が形成される原因を探った。その結果、SiとInAsの界面はSiとInの結合からなることが見い出され、InAs膜の成長前にSiと吸着したInの層を作製することが平坦なInAs膜の成長に重要であることが確認された。

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