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Numerical pump-probe experiments of laser-excited silicon in nonequilibrium phase

レーザー励起されたシリコンの非平衡状態に対するポンプープローブ数値実験

佐藤 駿丞*; 矢花 一浩; 篠原 康*; 乙部 智仁; Bertsch, G. F.*

Sato, Shunsuke*; Yabana, Kazuhiro; Shinohara, Yasushi*; Otobe, Tomohito; Bertsch, G. F.*

時間依存Kohn-Sham方程式を用いて高強度レーザー照射後の結晶シリコンの誘電関数を計算した。誘電関数の実部については、電子励起プラズマ生成による非平衡状態の特徴である低エネルギー領域での負の発散がみられた。また我々は誘電関数の虚部においても負の値を取ることを発見した。

We calculate the dielectric response of crystalline silicon following irradiation by a high-intensity laser pulse, modeling the dynamics by the time-dependent Kohn-Sham equations in the presence of the laser field. As expected, the excited silicon shows features of an electron-hole plasma of nonequilibrium phase in its response, characterized by a negative divergence in the real part of the dielectric function at small frequencies. We also find that the imaginary part of the dielectric function can be negative, particularly for the parallel polarization of pump and probe fields.

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パーセンタイル:89.61

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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