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Ge(111)-c(2$$times$$8)表面の室温酸化における酸素分子の並進エネルギーによって変化する酸素吸着位置の決定

Positions of adsorbed oxygen on oxidized Ge(111)-c(2$$times$$8) surface at 300 K depending on translational energy of O$$_2$$

岡田 隆太; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 岩井 優太郎*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Okada, Ryuta; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Iwai, Yutaro*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

次世代の電界効果型トランジスタ(FET)材料として、シリコン(Si)よりも高いキャリア移動度を有するゲルマニウム(Ge)が注目されているが、これを実用化するためには表面酸化の理解が不可欠である。我々はこれまでの研究で、Ge(111)-c(2$$times$$8)表面の室温酸化では超音速O$$_{2}$$分子線の並進エネルギー(${it E$_{t}$}$)を約1.0eV以上とすることで、Ge$$^{3+}$$が形成できることを発見したが、酸素原子の吸着位置はO$$_{2}$$曝露の場合を含め不明である。今回、Ge(111)-c(2$$times$$8)表面にO$$_{2}$$曝露とO$$_{2}$$分子線(${it E$_{t}$}$ : 2.3eV)によって形成される表面酸化物を放射光光電子分光法(SR-XPS)により分析し、酸素原子の吸着位置を解明した。酸化表面のO 1s光電子スペクトルの比較から、O$$_{2}$$の${it E$_{t}$}$の増加に伴い、ins酸素原子のみが増加することが明らかとなった。本研究の結果は、Ge(111)-c(2$$times$$8)表面の初期酸化過程を解明するために重要で基礎的な知見である。

no abstracts in English

発表言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2014年(平成26年)第61回応用物理学会春季学術講演会

開催年月

 :

2014/03

開催都市

 :

相模原

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

筑波大学

Access

 :

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