Magnetization process of the = 1/2 Heisenberg antiferromagnet on the Cairo pentagon lattice

カイロ・ペンタゴン格子上のS=1/2ハイゼンベルグ反強磁性体の磁化過程

中野 博生*; 礒田 誠*; 坂井 徹

Nakano, Hiroki*; Isoda, Makoto*; Sakai, Toru

カイロ・ペンタゴン格子上の=1/2ハイゼンベルグ反強磁性体の磁化過程を、数値対角化により研究した。二つの非等価な格子点からくる2種類の相互作用の大きさを適当に変化させて、磁化過程を調べた。特に飽和磁化の3分の1の高さに焦点を当てた。その結果、ある相互作用の比の値で、量子相転移が怒り、その周辺で磁化プラトーが現れることがわかった。

We study the = 1/2 Heisenberg antiferromagnet on the Cairo pentagon lattice by the numerical diagonalization. We tune the ratio of two antiferromagnetic interactions coming from two kinds of in equivalent sites in this lattice, examining the magnetization process; particular attention are focused on the one-third height of the saturation. We find that a quantum phase transition occurs at a specific value of the ratio and that a magnetization plateau appears in the vicinity of the transition.