Structure of -sexithiophene thin films grown on semiconductor surface studied by near-edge X-ray absorption fine structure

X線吸収端微細構造法による半導体表面に成長させた-チオフェン6量体オリゴマー薄膜の構造

平賀健太*; 豊島弘明*; 中島淳貴*; 田中博也*; 大野真也*; 田中正俊*; 関口哲弘 ; 平尾法恵; 下山巖 ; 馬場祐治

Hiraga, Kenta*; Toyoshima, Hiroaki*; Nakajima, Junki*; Tanaka, Hiroya*; Ono, Shinya*; Tanaka, Masatoshi*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Hirao, Norie; Shimoyama, Iwao; Baba, Yuji

半導体表面上に成長させた有機分子薄膜の立体分子構造を解析することは有機半導体の微細構造技術において重要である。SiO $_{2}$ /Si(001), H $_{2}$ O/Si(001), C $_{2}$ H $_{4}$ /Si(001), WSe $_{2}$ , GaSeなど様々な半導体表面上に-6チオフェン(-6T)分子を真空蒸着し、X線吸収端微細構造法により成長過程を研究した。表面基板の違いにより-6T分子の配向状態は大きく異なった。例えば、-6T/GaSe系では6T分子主軸は基板平行に寝て配向するのに対し、-6T/SiO $_{2}$ /Si(001)では分子は立って配向する。

It is important to investigate structure of organic thin films grown on semiconductor surfaces for fabrication of the organic semiconductors.

使用言語	:	English
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発表会議名	:	12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures & 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ACSIN-12 & ICSPM-21)
開催年月	:	2013/11
開催都市	:	Tsukuba
開催国	:	Japan
キーワード	:	no keyword

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受委託・共同研究相手機関	:	横浜国立大学

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登録番号 : BB20140067
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