兵頭 俊夫*; 深谷 有喜 
; 望月 出海*; 前川 雅樹; 和田 健*; 設楽 哲夫*; 一宮 彪彦*; 河裾 厚男
Hyodo, Toshio*; Fukaya, Yuki; Mochizuki, Izumi*; Maekawa, Masaki; Wada, Ken*; Shidara, Tetsuo*; Ichimiya, Ayahiko*; Kawasuso, Atsuo
反射高速陽電子回折(RHEPD)は、反射高速電子線回折(RHEED)の陽電子版である。RHEPD法は、1992年に提唱され、1998年に初めて実証された。結晶中の陽電子のポテンシャルエネルギーは、電子の場合とは逆のプラスである。したがって、ある臨界角より小さい視射角で結晶表面に入射した陽電子は全反射を起こす。この特徴により、RHEPD法は結晶表面の最上層に極めて敏感な手法となる。最近、加速器ベースの輝度増強した高強度陽電子ビームの発生に成功し、鮮明なRHEPDパターンの観測にも成功した。このRHEPD法の高度化に伴い、この手法を全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法と改めて命名することにした。本研究では、全反射の臨界角より小さい視射角で得られたSi(111)-
DAS表面からのTRHEPDパターンが、表面に露出した原子だけから決定されることを示す。
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発表言語 |
: | English |
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発行年月 |
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発表会議名 |
: | 23rd Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography (IUCr 2014) |
開催年月 |
: | 2014/08 |
開催都市 |
: | Montr |
開催国 |
: | Canada |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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