Si基板上エピタキシャルグラフェンの形成と高分解能放射光光電子分光による評価

Formation of epitaxial graphene on Si substrates and its evaluation by high resolution synchrotron radiation photoemission spectroscopy

Suemitsu, Maki*; Fukidome, Hirokazu*; Teraoka, Yuden

Si基板上に形成した3C-SiC薄膜を高温アニールすることで、安価、大口径のSi基板上に高品質グラフェンを再現性よく形成できるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した。界面および積層関係のよく定義されたGOSグラフェンは、従来の高価なSiC基板上に形成したエピグラフェン(EG)と基本的に同一の界面・積層構造を有することが、文部科学省先端研究施設共用イノベーション創出事業、および、ナノテクノロジープラットフォーム事業による放射光・高分解能光電子分光法(SR-XPS)の共用によって明らかにされた。また微量酸素の添加によってグラフェン化温度が従来より200-300 $^{circ}$ C低減できることもSR-XPS法によって確認された。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	NanotechJapan Bulletin (インターネット)
巻	:	7
号	:	2
ページ数	:	5 Pages
発行年月	:	2014/04
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://nanonet.go.jp/ntjb_pdf/nanotechEXPRESS-19.pdf
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	東北大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : AA20140069
抄録集掲載番号 : 43001109
論文投稿番号 : 16206

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.