イオンビームスパッタ成長法

Film growth method by means of ion beam sputtering

山口 憲司

Yamaguchi, Kenji

本稿は、イオンビームと固体との相互作用に起因するスパッタリング現象について概説したのち、これを薄膜創製に応用したイオンビームスパッタ蒸着法の説明をしている。さらに、イオンビームスパッタ蒸着装置に基板表面処理用のイオン照射系を備えた実験装置の構成例を示したうえで、本手法によってシリコン基板上に作製された鉄シリサイド半導体薄膜の特徴を解説した。実験結果が示すところでは、薄膜は基板に対して高配向した連続膜であり、しかも、基板との間に非常に鮮明な界面を形成することも分かった。

This article describes first the basic aspects of sputtering phenomena based on ion beam - solid interactions, followed by introduction of ion beam sputter deposition (IBSD) method for thin film fabrication. The article further introduces the experimental apparatus for IBSD application, equipped with an ion beam irradiation system for sputter-etching of the substrate surface. It is shown that this method is suitable for fabrication of semiconducting iron silicide film on Si substrate. The experimental results revealed that the obtained thin film is highly-oriented and continuous, forming atomically flat interface between film and the substrate.