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Ge/Si(111)ヘテロエピタキシャル成長過程におけるSi(111)7$$times$$7表面再構成ストレスのその場観察

In-situ stress observation of Si(111)7$$times$$7 reconstruction during Ge/Si heteroepitaxial growth

魚住 雄輝; 山崎 竜也*; 朝岡 秀人  

Uozumi, Yuki; Yamazaki, Tatsuya*; Asaoka, Hidehito

Si(111)表面ではダイマーやアドアトム形成により表面エネルギーが減少した再構成構造を形成し、バルクと異なる表面特有のストレスを有することがD.Vanderbiltらによる理論計算によって示されている。我々は、Si(111)7$$times$$7および水素終端処理を施したH-Si(111)1$$times$$1にGeをヘテロエピタキシャル成長させ、反射高速電子回折(RHEED)法と、表面ストレス測定(MOS)法を用いて再構成構造ストレスのその場観察を試みた。両者の再構成構造形成時のストレス差より、Si(111)7$$times$$7再構成構造形成時の表面ストレス値(1.6N/m)を実験的に観測することに成功し、その値は計算値とも良い一致を示した。

no abstracts in English

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