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Dielectric response of laser-excited silicon at finite electron temperature

レーザー励起された有限電子温度にあるシリコンの誘電応答

佐藤 駿丞*; 篠原 康*; 乙部 智仁; 矢花 一浩*

Sato, Shunsuke*; Shinohara, Yasushi*; Otobe, Tomohito; Yabana, Kazuhiro*

レーザー励起されたシリコン中電子が熱平衡に達したときの誘電応答を時間依存密度汎関数法の基礎方程式である時間依存Kohn-Sham方程式を実時間計算法で解くことにより計算した。その結果から、電子の有効質量と電子とイオンの衝突時間の温度依存性を明らかとした。

We calculate the dielectric response of excited crystalline silicon in electron thermal equilibrium by adiabatic time-dependent density functional theory (TDDFT) to model the response to irradiation by high-intensity laser pulses. We find that the extracted effective mass are in the range of 0.22-0.36 and lifetimes are in the range of 1-14 fs depending on the temperature.

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パーセンタイル:25.22

分野:Materials Science, Multidisciplinary

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