AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたホールセンサの陽子線照射効果

Proton irradiation effects on hall sensors with AlGaN/GaN hetero structure

岡田浩*; Abderrahmane, A.*; Adarsh, S.*; 若原昭浩*; 佐藤真一郎; 大島武

Okada, Hiroshi*; Abderrahmane, A.*; Adarsh, S.*; Wakahara, Akihiro*; Sato, Shinichiro; Oshima, Takeshi

半導体ホールセンサは、他のセンサ素子や電子回路と一体化させることでシステムが小型軽量化できるというメリットをもつため、宇宙空間利用や過酷環境などへの応用が期待される。そこで今回、サファイア基板上に形成したAlGaN/GaNへテロ構造を用いてホールセンサを作製し、TIARAのイオン注入器を用いて380keVの陽子線を照射することでその放射線照射効果を調べた。1 $times10^{13}$ cm $^{-2}$ 以下では、キャリア移動度ならびにシートキャリア密度に大きな変化は見られなかったが、1 $times10^{14}$ cm $^{-2}$ の照射により移動度の低下に伴う高抵抗化が生じることがわかった。また、ホールセンサの感度は、1 $times10^{14}$ cm $^{-2}$ まで初期の値を保つことが明らかとなった。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第9回高崎量子応用研究シンポジウム
開催年月	:	2014/10
開催都市	:	高崎
開催国	:	日本
キーワード	:	半導体素子; 耐放射線性

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	豊橋技術科学大学

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登録番号 : BB20142696
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