Flux pinning properties of splayed columnar defects ranging from -axis to -plane in GdBCO coated conductors

交差した柱状欠陥を導入したGdBCO伝導体のc軸方向から面方向にわたる磁場角度領域における磁束ピン止め特性

末吉 哲郎*; 古木 裕一*; 甲斐 隆史*; 藤吉 孝則*; 石川 法人   

Sueyoshi, Tetsuro*; Furuki, Yuichi*; Kai, Takashi*; Fujiyoshi, Takanori*; Ishikawa, Norito

GdBaCuO(GdBCO)に効果的な磁束ピン止めセンターを導入し、磁束ピン止め特性を調べることを目的として、270MeV Xeイオンを交差配置で2方向から照射した。その際、軸方向に近い角度に導入された柱状欠陥を導入した場合、臨界電流密度の磁場角度依存性曲線において軸方向に顕著な単独ピークを持つことが分かった。それに対して、面に平行な方向に近い角度に導入された柱状欠陥を導入した場合には、面方向の周りに2つのピークを持ち、面方向では臨界電流密度の相対的な落ち込みが見られることが分かった。交差配置によるピン止めの相乗効果は、軸方向に近い柱状欠陥配置では効果を発揮するが、面方向では効果を発揮しにくいことがわかった。

GdBaCuO (GdBCO) coated conductors were irradiated using 270 MeV Xe ions at crossing angles relative to the -axis, in order to clarify the flux pinning properties of splayed columnar defects (splayed CDs) not only around -axis, but also around -plane. For the splayed CDs with smaller (i.e. crossing around the -axis), a single peak is observed around -plane in the angular dependence of critical current density , which are attributed to the splay effect by the crossed CDs. For the splayed CDs with larger (i.e. crossing around the -plane), on the other hand, two sharp peaks emerge near two irradiation angles and the at -plane indicates not a peak but a dip structure.