Excited states above the proton threshold in
Si
Siの陽子離別エネルギーより高い励起状態
小松原 哲郎*; 久保野 茂*; 早川 岳人; 静間 俊行; 小沢 顕*; 伊藤 由太*; 石橋 陽子*; 森口 哲朗*; 山口 英斉*; Kahl, D.*; 早川 勢也*; Binh, D. N.*; Chen, A. A.*; Chen, J.*; Setoodehnia, K.*; 梶野 敏貴*
Komatsubara, Tetsuro*; Kubono, Shigeru*; Hayakawa, Takehito; Shizuma, Toshiyuki; Osawa, Akira*; Ito, Yuta*; Ishibashi, Yoko*; Moriguchi, Tetsuro*; Yamaguchi, Hidetoshi*; Kahl, D.*; Hayakawa, Seiya*; Binh, D. N.*; Chen, A. A.*; Chen, J.*; Setoodehnia, K.*; Kajino, Toshitaka*
Siの陽子離別エネルギーより高い励起状態のレベルスキームは
Al(p,
)
Si反応を評価するために重要である。この反応は、銀河系に存在する長寿命の放射性同位体
Al(T
=7.17
10
y)の天体起源を理解する上で重要である。
Siの励起状態はインビーム
線分光技術による
Mg(
He,n
)
Si反応を用いて測定された。最も重要なレベルの一つである5890.0keVの励起状態のスピンとパリティーが
-
の角度相関測定によって、0
と同定された。
The level scheme above the proton threshold in
Si is crucial for evaluating the
Al(p,
)
Si stellar reaction, which is important for understanding the astrophysical origin of the long-lived cosmic radioactivity
Al(T
=7.17
10
y) in the Galaxy. The excited states in
Si have been studied using an in-beam
-ray spectroscopy technique with the
Mg(
He,n
)
Si reaction. The spin-parity of one of the most important states reported recently at 5890.0 keV has been assigned as 0
by
-
angular correlation measurements.