Electronic structure of ThRuSi studied by ARPES
角度分解光電子分光によるThRuSiの電子状態
藤森 伸一 ; 小畠 雅明 ; 竹田 幸治 ; 岡根 哲夫 ; 斎藤 祐児 ; 藤森 淳; 山上 浩志; 松本 裕司*; 山本 悦嗣 ; 立岩 尚之 ; 芳賀 芳範
Fujimori, Shinichi; Kobata, Masaaki; Takeda, Yukiharu; Okane, Tetsuo; Saito, Yuji; Fujimori, Atsushi; Yamagami, Hiroshi; Matsumoto, Yuji*; Yamamoto, Etsuji; Tateiwa, Naoyuki; Haga, Yoshinori
ThRuSi2の電子状態について角度分解光電子分光法を用いて研究を行った。ThRuSiは隠れた秩序転移を示すURuSiと同じ結晶構造を持つが、5f電子を持たないことからURuSiにおけるU 5f電子状態を理解するための参照系である。ARPESによる測定の結果、ThRuSiの電子構造は特にEF付近においてURuSiと大きく異なっていることが明らかとなった。これは、URuSiにおいて、5f電子がフェルミ準位に寄与し、遍歴的な性質を持っていることを示している。
ThRuSi is an isostructural compound of the heavy fermion superconductor URuSi which shows the hidden order transition. Since ThRuSi does not have 5f electrons, it is a good reference material to understand the contribution of U 5f electrons in the electronic structure of URuSi. In the present study, we have revealed the band structure and Fermi surface of ThRuSi by angle resolved photoelectron spectroscopy (ARPES) using soft X-rays (hn = 600-800 eV). The experimentally obtained band structure and Fermi surface are compared with those of URuSi as well as the result of the band structure calculation. We have found that the states in the vicinity of EF are very different in ThRuSi and URuSi, suggesting that U 5f electrons form itinerant bands in URuSi. The details of the electronic structure of ThRuSi and the contributions from U 5f electrons in the band structure and Fermi surface of URuSi are discussed.