表面終端による浅いNVセンターの電荷状態

The States of shallow NV centers with surface termination

加藤かなみ*; 山野楓*; 蔭浦泰資*; 瀬下裕志*; 稲葉優文*; 東又格*; 小池悟大*; 谷井孝至*; 磯谷順一*; 寺地徳之*; 小野田忍; 加田渉*; 花泉修*; 川原田洋*

Kato, Kanami*; Yamano, Hayate*; Kageura, Taisuke*; Seshimo, Yuji*; Inaba, Masafumi*; Higashimata, Itaru*; Koike, Godai*; Tanii, Takashi*; Isoya, Junichi*; Teraji, Tokuyuki*; Onoda, Shinobu; Kada, Wataru*; Hanaizumi, Osamu*; Kawarada, Hiroshi*

ダイヤモンド表面に形成されたNV(窒素・空孔)センターの発光挙動は表面終端状態に大きく影響を受け、例えば、水素終端の場合はNVセンターが非発光状態になることが知られている。量子コンピューティングや高感度センサといった応用の観点からは高輝度なNVセンターが不可欠であることから、表面終端状態を様々(水素終端, 酸素終端, OH終端)に変え、NVセンターの発光との関連を調べた。実験の結果、水素終端, OH終端, 酸素終端の順でNVセンターの発光が強くなることが判明した。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2016年(平成27年)第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2016/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	群馬大学; 筑波大学

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