水素終端層・酸化層脱離後のSi(110)清浄表面解析

Analysis of Si(110) clean surfaces after desorption of hydrogen terminated layer and oxidized layer

Suzuki, Shota; Asaoka, Hidehito; Uozumi, Yuki; Kondo, Keietsu; Yamaguchi, Kenji

Si(110)再構成構造形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の実測には、数mm $^{2}$ サイズ表面全体にわたり、清浄、かつ表面ステップ構造が制御された理想表面が必要である。本研究では、822mm $^{2}$ Si(110)基板を用いた表面清浄化手法を確立するため、水素終端処理基板、酸化処理基板の保護層除去後の表面構造を比較した。表面LEED像を比較した結果、162再構成構造を示す回折点の鮮明度、及び、162構造形成範囲の広さから、大面積Si(110)表面清浄化手法として酸化膜除去による手法が有効であることが分かった。現在は2つの清浄化手法適用後のSi(110)表面のモルフォロジーについてSTMによる解析を実施中である。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	2016年(平成27年)第63回応用物理学会春季学術講演会
開催年月	:	2016/03
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
キーワード	:	Si(110); 清浄表面; 表面再構成

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