化学処理によって作成したSi(110)上酸化膜の脱離過程における微視的構造変化

Microscopic morphological evolution in desorption process of oxide film formed by chemical treatment on Si(110)

矢野 雅大   ; 鈴木 翔太; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人  

Yano, Masahiro; Suzuki, Shota; Uozumi, Yuki; Asaoka, Hidehito

Si(110)は工業、学術研究両面で利用価値が高く、その応用の際には表面の清浄化が求められる。Si表面の清浄化には複数の手法が存在するが、欠陥やステップバンチング等の形成が少ないとの利点から、Si(110)の清浄化には大気中での化学処理による不純物除去と表面保護層の形成を行い、真空中で保護層を加熱脱離させる手法が有効である。保護層には一般的に塩酸によって形成される酸化膜が用いられるが、Si(110)上における酸化膜脱離での微視的構造変化は研究報告が非常に少なく、特に化学処理で形成された酸化膜の脱離についての報告は他面方位でもほとんど存在しない。本研究ではSi(110)上に塩酸で作製した酸化膜の脱離過程での微視的構造変化を走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて計測した。講演では脱離の経過時間ごとの表面構造を示し、効率的に清浄かつ平坦な表面を形成する条件について述べる。

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