全反射高速陽電子回折(TRHEPD)は反射高速電子回折(RHEED)の陽電子版である。陽電子は電子の反粒子であり、電子とは逆のプラスの電荷を持つ。このため、陽電子に対する物質の結晶ポテンシャルは障壁として働き、陽電子ビームの物質中への侵入深さを低減させる。特にすれすれ入射の場合には全反射が起こり、その時の侵入深さは原子1個分の厚みにしか満たない。したがって、TRHEPDは最表面層に極めて敏感な構造解析ツールである。我々は2010年より、それまでの線源法によるTRHEPD法を高度化させるべく、加速器を用いた新たな装置開発に着手した。結果として、従来の約100倍増のビーム強度を実現し、これまで観測が困難であった表面超構造由来の回折パターンの明瞭な観測に成功した。本発表では、TRHEPD法を用いたグラフェン、ゲルマネン等の2次元物質の構造決定と、本手法の発展形としての最表面原子配置の直接決定法の開発について報告する。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2018/03 |
開催都市 |
: | 水戸 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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