Au上グラフェンCVD成長の熱放射光学顕微鏡によるその場観察

In-situ observation of CVD growth of graphene on Au by radiation-mode optical microscopy

寺澤 知潮   ; 平良 隆信*; 小幡 誠司*; 保田 諭   ; 斉木 幸一朗*; 朝岡 秀人  

Terasawa, Tomoo; Taira, Takanobu*; Obata, Seiji*; Yasuda, Satoshi; Saiki, Koichiro*; Asaoka, Hidehito

化学気相成長法によって炭素固溶度の低いCu基板上では単層のグラフェンが選択的に成長することが知られている。本研究ではCuと同様に炭素固溶度の低いAu基板上で、グラフェンの化学気相成長の熱放射光学顕微鏡によるその場観察を試みた。熱放射光学顕微鏡像においてAu箔基板の溝に挟まれた領域から開始した明るいコントラストの成長は溝と平行方向に進行した。ラマンマッピング測定によってこのコントラストはグラフェンであることが確認された。当日はAu基板上でのグラフェンの成長機構についても議論する。

Monolayer selective growth of graphene was achieved by chemical vapor deposition on a Cu substrate due to its low carbon solubility. In this study, we attempted the in-situ observation of chemical vapor deposition of graphene on a Au substrate with low carbon solid solubility like Cu by a radiation-mode optical microscopy. In the radiation images, the bright contrast started the growth between the trenches of the Au foil and progressed parallel to the trenches. The result of Raman mapping measurement indiceted that this contrast corresponded to graphene. In the presentation, we will also discuss the growth mechanism of graphene on the Au substrate.