全反射高速陽電子回折(TRHEPD)法は、物質表面や2次元物質の原子配置を決定するための表面構造解析手法である。陽電子はプラスの電荷を持つため、物質表面に入射する際、斥力を受ける。特にすれすれ入射の場合には全反射が起こり、その物質表面への侵入深さは原子1個分の厚みにしか満たない。このことがTRHEPD法を最表面に敏感な構造解析手法たらしめる。本稿では、電子ビームの場合との比較を交えながら、TRHEPD法の原理と特徴について紹介する。
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使用言語 |
: | Japanese |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
: | 13 |
ページ数 |
: | p.3 - 10 |
発行年月 |
: | 2019/09 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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