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Au(001)の再構成によるグラフェンの放射率の変調

Modification of emissivity of graphene by surface reconstruction of Au(001)

寺澤 知潮   ; 保田 諭   ; 林 直輝*; 乗松 航*; 伊藤 孝寛*; 町田 真一*; 朝岡 秀人  

Terasawa, Tomoo; Yasuda, Satoshi; Hayashi, Naoki*; Norimatsu, Wataru*; Ito, Takahiro*; Machida, Shinichi*; Asaoka, Hidehito

炭素六員環の単原子層であるグラフェンは高いキャリア移動度や光透過率などの特性から次世代半導体材料として期待されている。グラフェンの光透過率は波長によらず2.3%と一定であるが、光デバイスへの応用のためには波長選択性が求められる。本研究ではAu(001)表面が再構成したHex-Au(001)構造に着目し、1.44nm周期の擬一次元周期ポテンシャルを持つHex-Au(001)構造がグラフェンのバンド構造と放射率に及ぼす変調を角度分解光電子分光(ARPES)法と熱放射光の顕微観察により明らかにすることを目的とした。Hex-Au(001)構造上にエピタキシャルに成長したグラフェンのARPES測定において、0.85eV付近に$$pi$$バンドの不連続が観測された。一方、グラフェンがランダムな方位に成長した場合のARPES測定においてはグラフェンの$$pi$$バンドは連続であった。以上の結果は、Hex-Au(001)構造によるグラフェンのバンド構造の変調を示している。

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