アルミ酸化膜のメモリ動作と電子状態の相関

Relation between resistance random access memory effect and electronic structure in amorphous alumina

久保田 正人 

Kubota, Masato

現在の電力消費量が多い主記憶メモリに代わる次世代の不揮発メモリとして電気抵抗変化型不揮発メモリ(ReRAM)がある。遷移金属酸化物材料を用いたReRAMでは、化学変化を伴う。今回、ReRAMを示すアルミ酸化膜に関する放射光実験を行った。その結果、アルミ酸化膜のメモリのオン・オフ状態では、酸素サイトの電子状態が変化するのに対して、アルミニウムの電子状態は、変化が見られないことを明らかにした。このことは、化学変化を伴わずに酸素サイト周辺の電子がメモリ機能に深くかかわっていることを示唆している。

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