Direct writing of SiC micropatterns in ambient atmosphere using near-infrared femtosecond laser sintering

近赤外フェムト秒レーザ焼結を用いたSiCマイクロパターンの大気中直接描画

川堀 龍*; 渡部 雅  ; 今井 良行  ; Yan, X. ; 溝尻 瑞枝*

Kawabori, Tatsuru*; Watanabe, Masashi; Imai, Yoshiyuki; Yan, X.; Mizoshiri, Mizue*

本研究では、SiCマイクロパターンを大気中で近赤外フェムト秒レーザ焼結を用いて作製した。まず最初にSiCナノ粒子インクを調製し、近赤外フェムト秒レーザを用いてSiCマイクロパターンを作製した後、これらのパターニング特性について調査を行った。その結果、3C-SiC平面パターンの大気中での作製に成功すると共に、作製したパターンには顕著な酸化は見られなかった。このようなSiCパターンの直接描画技術は、マイクロデバイスの製造において有用と考えられる。

In this study, SiC micropatterns were fabricated using near-infrared femtosecond laser sintering in atmosphere. First, a SiC nanoparticle ink was prepared. Then, we investigated the patterning properties of SiC micropatterns fabricated using near-infrared femtosecond laser pulses. 3C-SiC plane patterns were successfully formed even though in air without significant oxidation. Such direct writing technique of SiC patterns is useful for fabrication of microdevices.