酸化ガス照射下でのXPSによるGaN表面化学状態の動的その場観察

In-situ observation of oxidation on GaN surface by real-time XPS under irradiating oxidation gas

角谷 正友*; 津田 泰孝   ; 坂本 徹哉*; 隅田 真人*; Sang, L.*; 原田 善之*; 吉越 章隆 

Sumiya, Masatomo*; Tsuda, Yasutaka; Sakamoto, Tetsuya*; Sumita, Masato*; Sang, L.*; Harada, Yoshitomo*; Yoshigoe, Akitaka

現在のGaN MOSパワーデバイスは+c GaN面上に積層したnpn構造にトレンチやファセットを形成してm面などをチャネルとして動作する。極性構造を持つGaN表面は面方位によって酸素取込が異なるために、酸化物絶縁層を形成する際にできる界面準位も表面方位に依存すると考えられる。界面準位形成メカニズムの解明に向けてGaN表面と酸化ガスとの面方位依存性を検討することは重要となる。我々はGaN結晶表面にさまざまな酸化ガスを照射しながら、その場光電子分光法(XPS)でO 1sスペクトルをリアルタイムに観察し、極性を考慮したGaN表面モデルから化学状態の考察を行った。

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