Comparisons of the masking effect of carboxylic, amic-acidic, and amidic compounds on lanthanides and Am complexation

ランタノイド、Amに錯形成するカルボン酸、アミド酸、アミド化合物のマスキング効果の比較

佐々木 祐二  ; 金子 政志   ; 伴 康俊  ; 鈴木 達也*

Sasaki, Yuji; Kaneko, Masashi; Ban, Yasutoshi; Suzuki, Tatsuya*

カルボン酸、アミド酸、アミド化合物による希土類元素、Amへの錯形成能力の比較を行った。用いた化合物は、ジグリコールアミド、エチレンジアミン、ジエチレントリアミドの骨格を持つ化合物とその他2種のアミド化合物である。次のような結果が得られた、pH1.2以下でアミド酸素ドナーはカルボン酸の酸素ドナーより反応性が高いこと、中重希土類元素は軽希土類元素より高く反応すること、3級アミン窒素原子はプロトネーションを起こし、得られる分配比はpH依存があることなどを明らかにした。

The magnitude of the masking effect of carboxylic, amic-acidic, and amidic compounds through Ln and Am extractions by tetraoctyl diglycolamide (TODGA) is compared. The compounds used are diglycol, ethylenediamine, diethylenetriamine-type, and two other amides (dioxaoctane diamide and nitrylotriacetamide). The results show that below pH 1.2, where carboxylic acids are less dissociated, amide O atoms have higher reactivity with lanthanides than O atoms in carboxyl groups. From observing the Ln patterns (D(Ln) vs. their atomic number), the compounds primarily show high reactivity, with middle and heavy Ln having a higher charge density than light Ln. Four amide compounds are employed in this work. Those with tertiary amine N atoms have pH dependence on D(Ln) due to protonation and dissociation from amine N atoms.