ホウ素ドープカーボンナノウォールの高速合成と物性

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金田 美優*; 萱原 空輝*; 深田 幸正; 吉井 賢資  ; 福田 竜生  ; 吉越 章隆 ; 小畠 雅明  ; 池田 直*; 狩野 旬*; 藤井 達生*

Kaneda, Miyu*; Kayahara, Takaki*; Fukada, Yukimasa; Yoshii, Kenji; Fukuda, Tatsuo; Yoshigoe, Akitaka; Kobata, Masaaki; Ikeda, Naoshi*; Kano, Jun*; Fujii, Tatsuo*

カーボンナノチューブ(CNT)やグラフェン(GP)などの新しい炭素素材は、高い強度、電気伝導性、伝熱特性などに優れるので安価に製造する技術開発が行われている。我々はここまで、2.45GHzの電磁波を用いるプラズマ発生装置でカーボンナノウォール(CNW)を高速に形成する技術を発見・解明してきた。今回はCNWへのホウ素(B)ドープを試み、その特性評価について報告する。SPring-8、BL23SUでのXPS測定でCNWにBがドープされていることを確認した。この試料とBドープをしていない試料の抵抗値の温度依存性を測定した。アレニウス・プロットから、BドープによってCNWの活性化エネルギーが小さくなることが分かった。また、n-Si基板上のBドープCNWについて電流電圧測定を行った。n-Si基板とCNW上のITOを電極として測定を行ったところ、順方向に0.2V程度の電圧降下を確認した。この結果は、BはCNWの中でアクセプタの役割を持ち、キャリア濃度の上昇をもたらしたためと考えられる。

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