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$$^{3}$$He中性子スピンフィルターの高性能化に向けた$$^{3}$$Heセル性能評価手法の開発

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小林 龍珠; 奥 隆之   ; 他5名*

Kobayashi, Ryuju; Oku, Takayuki; 5 of others*

$$^{3}$$He中性子スピンフィルター($$^{3}$$He NSF)はmeV-eVの広いエネルギーの中性子を偏極可能な中性子偏極デバイスであり、J-PARC MLFにおいても開発及びユーザー利用が進んでいる。$$^{3}$$He NSFの性能(中性子の偏極率と透過率を考慮した性能)は中性子エネルギーに依存し、$$^{3}$$Heセルごとに最適なエネルギー値が異なる。そのため、実験ごとに最適化された$$^{3}$$Heセルを作製する必要がある。しかし現在の作製法では高性能な3Heセルの収率が悪く、$$^{3}$$He NSF普及の障壁となっている。我々のグループでは$$^{3}$$Heセルの評価手法の開発を行い、作製手法と$$^{3}$$He NSF性能の関係性を調査している。従来の$$^{3}$$Heセル評価手法では環境磁場による影響が含まれていた。つまり$$^{3}$$Heセルのサイズに依存して環境の影響が変化するため、異なる3Heセル同士を比較することが出来なかった。今回、新たに高精度磁場測定装置を開発し、環境磁場による影響を単独で評価することが可能となった。これにより、複数の$$^{3}$$Heセルの評価結果を定量的に比較することが可能となった。本発表では我々の$$^{3}$$Heセルに行った本評価の結果について報告する。

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