省電力次世代記憶素子材料の開発に向けて; アルミニウム酸化物を用いた新しい不揮発メモリの局所構造

Toward the development of energy-efficient materials for next-generation memory devices

次世代不揮発メモリとして、遷移金属を用いた抵抗変化型不揮発メモリの研究が行われているが、本研究では、全く新しいアルミ酸化物不揮発メモリの微細な構造を解明するために量子ビーム実験を行い、不揮発メモリ機能の発現にとって適した局所構造の特徴を解明した。

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発表言語	:	Japanese
掲載資料名	:	機能材料
巻	:	45
号	:	6
ページ数	:	p.52 - 54
発行年月	:	2025/06
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登録番号 : AA20250155
抄録集掲載番号 : 54000934
論文投稿番号 : 31431

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