supersonic molecular beams分子線の並進運動エネルギー誘起Si(001)初期酸化Yoshigoe, Akitaka; Sano, Mutsumi; Teraoka, Yuden
超音速O分子線を用いて、O分子の並進運動エネルギーを変化させ、それによって誘起されるSi(001)表面酸化過程をXPS及び散乱分子線測定により明らかにしたので発表する。SiOの脱離を伴う酸化(Active oxidation)では、O分子の運動エネルギーが、3.0eV及び2.0eVの場合、基板温度700
において、SiOの脱離及びO分子の散乱割合に大きな変化が見られた。しかし、並進運動エネルギーが、0.5及び1.0eVではこれらの現象がみられないことから、O分子の並進運動エネルギーがActive oxidationを増強する効果があることを見いだした。SiOの脱離を伴わない酸化(Passive oxidation)においても並進運動エネルギーの効果が見いだされた。酸化が、1.0eV及び2.6eVの並進運動エネルギーで増加した。これらは、Si表面の第1層のback bond及び第2-第3層間の酸化に対応することが、理論計算のこれまでの報告との比較よりわかった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 39 |
号 |
: | 12B |
ページ数 |
: | p.7026 - 7030 |
発行年月 |
: | 2000/12 |
発表会議名 |
: | 2000 International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC 2000) |
開催年月 |
: | 2000/07 |
開催都市 |
: | Tokyo |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | 超音速O |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：41.38 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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