Mechanism for single-event burnout of bipolar transistors

バイポーラトランジスタのシングルイベントバーンアウトの機構

Kuboyama, Satoshi*; Suzuki, Takahiro*; Hirao, Toshio; Matsuda, Sumio*

高エネルギー粒子が半導体中の能動領域を通過する時、その飛跡に沿って発生した高密度の電子-正孔対によるシングルイベント現象が生じることは良く知られている。その現象の一つであるシングルイベントバーンアウト(SEB)、従来Power MOSFETにおいて発生するといわれてきた。われわれは、実験として、すでに確立したSEBの測定方法であるEPICS測定システムを民生用の小信号バイポーラトランジスタ(BJT)に適用し、250MeV Niイオンを用いてSEB評価を実施した。その結果、BJTでもSEBが発生することを見いだし、イオン入射時のBJTにおけるベースとエミッタの電流波形の直接観測に成功した。本報告では、これらの結果を詳説するとともに、MOSFETとBJTにおけるSEB発生機構の相違について議論する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE Transactions on Nuclear Science
巻	:	47
号	:	6
ページ数	:	p.2634 - 2639
発行年月	:	2000/12
発表会議名	:	2000 IEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference (NSREC 2000)
開催年月	:	2000/07
開催都市	:	Reno
開催国	:	America
キーワード	:	SEB(シングルイベントバーンアウト); MOSFET; バイポーラトランジスタ

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1109/23.903819
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InCites™	:	パーセンタイル：46.88 分野：Engineering, Electrical & Electronic
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登録番号 : B20000126
抄録集掲載番号 : 290657
論文投稿番号 : 18213

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