門口 拓生*; 藤岡 洋*; 浦上 武*; 小野 寛太*; 馬場 祐治 
; 尾嶋 正治*
Monguchi, Takuo*; Fujioka, Hiroshi*; Uragami, Takeshi*; Ono, Kanta*; Baba, Yuji; Oshima, Masaharu*
シリコンよりバンドギャップが大きく、次世代の青色発光半導体として注目されている炭化ケイ素単結晶について、陽極処理前後の電子構造変化をSi K-吸収端のX線吸収スペクトルにより調べた。広域X線吸収端微細構造(EXAFS)の測定結果からは、陽極処理前後で結合距離や配位数といった局所的な構造に変化は認められなかった。一方、X線吸収端微細構造(XANES)を詳細に調べたところ、陽極処理することによりSiCの伝導帯の底部が高エネルギー側にシフトすることが明らかとなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 147 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.741 - 743 |
発行年月 |
: | 2000/02 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：23.47 分野：Electrochemistry |
Altmetrics |
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