Photon-stimulated ion desorption from mono- and multilayered silicon alkoxide on silicon by core-level excitation

内殻電子励起によるシリコン表面の単層及び多層吸着シリコンアルコキシドからの光刺激イオン脱離

Baba, Yuji; Wu, G.; Sekiguchi, Tetsuhiro; Shimoyama, Iwao

シリコン単結晶表面に吸着したテトラクロロシランにSi 1s領域の放射光を照射した時の分子の分解、イオン脱離機構を調べた。吸着分子自身の励起による効果とシリコン基板の励起による二次的効果とを区別するため、吸着層の数を正確に制御した系について検討した。単相吸着系では、脱離イオンのほとんどがCH $_{3}^{+}$ イオンであり、その脱離強度は吸着分子のSi 1s→*共鳴励起で最大となるが、シリコン基板の励起では脱離は認められない。一方、二次電子のほとんどはシリコン基板から発生することから、CH $_{3}^{+}$ の脱離に寄与するのはオージェ電子、散乱電子などによる二次的効果ではなく、吸着分子自身の直接的な内殻共鳴励起効果によることが明らかとなった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Vacuum Science and Technology A
巻	:	19
号	:	4
ページ数	:	p.1485 - 1489
発行年月	:	2001/07
発表会議名	:	American Vacuum Society 47th International Symposium
開催年月	:	2000/10
開催都市	:	Boston
開催国	:	U. S. A.
キーワード	:	Photon-stimilated Ion Desorption; Silicon Alkoxide; Core-level Excitation

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1116/1.1359545
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InCites™	:	パーセンタイル：26.32 分野：Materials Science, Coatings & Films
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登録番号 : B20000187
抄録集掲載番号 : 300533
論文投稿番号 : 19064

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