Effects of steam annealing on CV characteristics of 4H-SiC MOS structures

4H-SiC MOS構造CV特性に及ぼす水蒸気アニーリングの効果

Yoshikawa, Masahito; Takahashi, Kunimasa*; Oshima, Takeshi; Kitabatake, Makoto*; Ito, Hisayoshi

近年、4H-SiC及び6H-SiC基板の面方位とこれら基板表面に形成されたMOS構造トランジスタの反転層内に誘導される電子のチャンネルモビリティの関連性が注目されている。そこで4H-SiC基板の面方位として(11-20)面と(1-100)面を選び、その表面にMOS構造キャパシタを形成して、界面準位と固定電荷の量を調べ、従来から用いられている面方位(0001)面のそれらと比較した。その結果、深部の界面準位は、(0001)面に比べ(11-20)及び(1-100)面の方がはるかに多く発生した。しかしながら、水蒸気中で850 $^{circ}$ C、3時間の水蒸気中アニールを行ったところ、界面準位が1/2以下に減少した。(11-20)面は、水蒸気中アニールを行う温度を最適化すれば、界面準位の低減が可能であることがわかった。

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発表言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of 1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology (UPD2000)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.199 - 200
発行年月	:	2000/00
発表会議名	:	1st International Workshop on Ultra-Low-Loss Power Device Technology (UPD2000)
開催年月	:	2000/06
開催都市	:	Nara
開催国	:	Japan
キーワード	:	4H-SiC; MOS構造; (11-20)面; (1-100)面; チャンネルモビリティ; 界面準位; 固定電荷

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登録番号 : B20000343
抄録集掲載番号 : 280809
論文投稿番号 : 17746

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