カーボンオニオンの核形成・成長機構を明らかにすることを目的とし、銅基板への炭素イオン注入実験及び電子顕微鏡内イオン注入実験を行った。銅多結晶に注入温度300~700
にて100keV C
イオンを2
10
C/cm
まで注入した後、カーボンオニオンやナノカプセル状オニオン等を電顕観察した。また500における電子顕微鏡内イオン注入実験を行い、核生成・成長過程をその場電顕観察した。微細組織の注入温度・注入量・基板結晶性に対する依存性から、(1)微細な炭素クラスタあるいは母相内の格子欠陥等を核としたオニオンと(2)銅微粒子周囲に発達したグラファイト構造を核とするナノカプセルという2種類の核形成機構が判明した。また、オニオン形成過程のその場観察実験から、注入量のしきい値が求められ、オニオンが位相コントラストと歪コントラストの双方を有し、すなわち基板内部に形成されること、基板の照射誘起蒸発によって最終的には表面を集積することなどが明らかになった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 10 |
号 |
: | 3-7 |
ページ数 |
: | p.1201 - 1204 |
発行年月 |
: | 2001/07 |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2000/09 |
開催都市 |
: | Porto |
開催国 |
: | Portugal |
キーワード |
: | Ion Implantation; Irradiation; Carbon; Graphite; Carbon Onion; Nanocapsule; TEM; HREM |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
: |
- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：63.53 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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